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Círculo electrostático de cerámica (ESC) ️ sujetado de sustrato de precisión para ambientes de alto vacío y plasma

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Círculo electrostático de cerámica (ESC) ️ sujetado de sustrato de precisión para ambientes de alto vacío y plasma

Círculo electrostático de cerámica (ESC) ️ sujetado de sustrato de precisión para ambientes de alto vacío y plasma
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Ampliación de imagen :  Círculo electrostático de cerámica (ESC) ️ sujetado de sustrato de precisión para ambientes de alto vacío y plasma

Datos del producto:
Lugar de origen: Porcelana
Nombre de la marca: ZG
Certificación: CE
Número de modelo: EM
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1 unidad
Precio: 10USD/PC
Detalles de empaquetado: Caja de madera resistente para envíos globales.
Tiempo de entrega: 5-8 días laborables
Condiciones de pago: LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 1000 piezas

Círculo electrostático de cerámica (ESC) ️ sujetado de sustrato de precisión para ambientes de alto vacío y plasma

descripción
Resaltar:

con una capacidad de carga de más de 300 W

,

precision substrate clamping ESC

,

Apegamiento de sustrato de precisión ESC

Círculo electrostático de cerámica (ESC) ️ sujetado de sustrato de precisión para ambientes de alto vacío y plasma

 

En la fabricación avanzada de semiconductores y la deposición de películas delgadas, los métodos convencionales de sujeción mecánica o al vacío no cumplen con la exigencia de ultralimpieza, alto vacío,y requisitos de temperatura controlada para el procesamiento subnanométricoNuestro.Las piezas de acero y las piezas de aceroutilizar fuerzas electrostáticas de Coulombic o Johnsen-Rahbek (J-R) para sujetar de forma segura las obleas y sustratos sin contacto mecánico de los bordes, proporcionando una uniformidad de temperatura excepcional, una planitud de la obleas,y reducción de partículas.

Mecanismos y tipos técnicos

Diseñamos las dos configuraciones primarias de mandíbulas electrostáticas adaptadas a entornos de procesamiento específicos:

  • El tipo de la ESC de Johnsen-Rahbek (J-R): Fabricado con formulaciones cerámicas semiconductoras (como la alumina dopada o el carburo de silicio).Los mandos J-R generan fuerzas de sujeción electrostáticas inmensas a voltajes de funcionamiento más bajos, por lo que son ideales para el grabado con plasma de alta densidad y los procesos PVD/CVD.

  • ESC cerámico de tipo coulombicoConstruido con cerámica aislante de alta pureza, el sujeción se basa enteramente en la acumulación de carga electrostática pura.proporcionando una sujeción estable en amplios rangos de temperaturas y capacidades de descarga ultrarrápida para materiales dieléctricos sensibles.

Ventajas clave

1Control térmico excepcional y uniformidad

Integrados con elementos de calefacción resistiva de zonas múltiples y canales de refrigeración de helio incorporados, nuestros ESC cerámicos aseguran una distribución precisa de la temperatura de las obleas ($le pm 1^circtext{C}$ No puedo hacer nada.a travésUn mensaje de $300Wafers), crítico para el control de la dimensión crítica (CD) en el grabado y la deposición.

2Alta resistencia a la corrosión y al plasma

Diseñado a partir de cerámicas técnicas avanzadas como:Aluminio de alta pureza (¿Qué es eso?)yNitruro de aluminio (¿Qué es eso?), la superficie del chuck es resistente a los plasmas halógenos agresivos (¿Qué quieres decir?,¿Cuál es el problema?) y gases reactivos, minimizando la generación de partículas en la cámara y prolongando la vida útil.

3. Superficie ultra plana y supresión de partículas

Los patrones de mesa (pin) micro-mecanizados en la superficie cerámica reducen drásticamente el área de contacto entre la parte posterior de la oblea y el volante,la prevención de la contaminación por partículas traseras y el mantenimiento de una planitud superior de la oblea ($le 1 mutex{m}$)).

4. Respuesta rápida y descarga confiable

Las capas dieléctricas optimizadas y el control de potencia avanzado permiten ciclos rápidos de descarga y descarga, eliminando la carga electrostática residual y maximizando el rendimiento de la oblea.

Aplicaciones típicas

Proceso de semiconductores Funciones clave del CES
Grabación por plasma (RIE / ICP / ALE) Alta conductividad térmica, resistencia a la erosión del plasma, control de temperatura de varias zonas
Deposición de película delgada (PVD / PECVD / ALD) Integridad estructural a altas temperaturas, calentamiento uniforme de las obleas, compatibilidad con el vacío
Implantación iónica Apegamiento electrostático fiable bajo corrientes de haz de luz y cargas térmicas
Inspección de obleas y metrología Clampado de bordes sin contacto, planitud ultra alta, funcionamiento no magnético

Contacto
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Persona de Contacto: Daniel

Teléfono: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

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