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Datos del producto:
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| Resaltar: | con una capacidad de carga de más de 300 W,precision substrate clamping ESC,Apegamiento de sustrato de precisión ESC |
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Círculo electrostático de cerámica (ESC) ️ sujetado de sustrato de precisión para ambientes de alto vacío y plasma
En la fabricación avanzada de semiconductores y la deposición de películas delgadas, los métodos convencionales de sujeción mecánica o al vacío no cumplen con la exigencia de ultralimpieza, alto vacío,y requisitos de temperatura controlada para el procesamiento subnanométricoNuestro.Las piezas de acero y las piezas de aceroutilizar fuerzas electrostáticas de Coulombic o Johnsen-Rahbek (J-R) para sujetar de forma segura las obleas y sustratos sin contacto mecánico de los bordes, proporcionando una uniformidad de temperatura excepcional, una planitud de la obleas,y reducción de partículas.
Diseñamos las dos configuraciones primarias de mandíbulas electrostáticas adaptadas a entornos de procesamiento específicos:
El tipo de la ESC de Johnsen-Rahbek (J-R): Fabricado con formulaciones cerámicas semiconductoras (como la alumina dopada o el carburo de silicio).Los mandos J-R generan fuerzas de sujeción electrostáticas inmensas a voltajes de funcionamiento más bajos, por lo que son ideales para el grabado con plasma de alta densidad y los procesos PVD/CVD.
ESC cerámico de tipo coulombicoConstruido con cerámica aislante de alta pureza, el sujeción se basa enteramente en la acumulación de carga electrostática pura.proporcionando una sujeción estable en amplios rangos de temperaturas y capacidades de descarga ultrarrápida para materiales dieléctricos sensibles.
Integrados con elementos de calefacción resistiva de zonas múltiples y canales de refrigeración de helio incorporados, nuestros ESC cerámicos aseguran una distribución precisa de la temperatura de las obleas ($le pm 1^circtext{C}$ No puedo hacer nada.a travésUn mensaje de $300Wafers), crítico para el control de la dimensión crítica (CD) en el grabado y la deposición.
Diseñado a partir de cerámicas técnicas avanzadas como:Aluminio de alta pureza (¿Qué es eso?)yNitruro de aluminio (¿Qué es eso?), la superficie del chuck es resistente a los plasmas halógenos agresivos (¿Qué quieres decir?,¿Cuál es el problema?) y gases reactivos, minimizando la generación de partículas en la cámara y prolongando la vida útil.
Los patrones de mesa (pin) micro-mecanizados en la superficie cerámica reducen drásticamente el área de contacto entre la parte posterior de la oblea y el volante,la prevención de la contaminación por partículas traseras y el mantenimiento de una planitud superior de la oblea ($le 1 mutex{m}$)).
Las capas dieléctricas optimizadas y el control de potencia avanzado permiten ciclos rápidos de descarga y descarga, eliminando la carga electrostática residual y maximizando el rendimiento de la oblea.
| Proceso de semiconductores | Funciones clave del CES |
| Grabación por plasma (RIE / ICP / ALE) | Alta conductividad térmica, resistencia a la erosión del plasma, control de temperatura de varias zonas |
| Deposición de película delgada (PVD / PECVD / ALD) | Integridad estructural a altas temperaturas, calentamiento uniforme de las obleas, compatibilidad con el vacío |
| Implantación iónica | Apegamiento electrostático fiable bajo corrientes de haz de luz y cargas térmicas |
| Inspección de obleas y metrología | Clampado de bordes sin contacto, planitud ultra alta, funcionamiento no magnético |
Persona de Contacto: Daniel
Teléfono: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196