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Carrete de película de Microfinishing, rápidamente cortes, formas y pulimentos, entregando los finales de la cierre-tolerancia para la herramienta de la precisión |
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Datos del producto:
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| Resaltar: | componentes cerámicos de nitruro de aluminio,Partes cerámicas de alta conductividad térmica,piezas cerámicas de aluminio con garantía |
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Piezas de cerámica de nitruro de aluminio
Gracias a sus propiedades de aislamiento eléctrico y su excelente conductividad térmica, las cerámicas de nitruro de aluminio (AIN) son ideales para aplicaciones que requieren disipación de calor. Además, debido a que tiene un coeficiente de expansión térmica cercano al del silicio y una excelente resistencia al plasma, se utiliza para componentes de equipos de procesamiento de semiconductores.
El nitruro de aluminio (AlN) tiene una banda prohibida máxima de 6,2 eV, lo que proporciona una mayor eficiencia de conversión fotoeléctrica que los semiconductores de banda prohibida indirecta. Como importante material luminiscente azul y ultravioleta, el AlN se utiliza en LED UV/UV profundo, diodos láser ultravioleta y detectores ultravioleta. Además, el AlN puede formar soluciones sólidas continuas con compuestos de nitruro del grupo III como GaN e InN, y sus aleaciones tri o cuadráticas pueden proporcionar una banda prohibida continuamente sintonizable desde el rango visible al UV profundo, lo que lo convierte en un importante material luminiscente de alta eficiencia.
Los cristales de AlN son sustratos ideales para materiales epitaxiales de GaN, AlGaN y AlN. En comparación con los sustratos de zafiro o SiC, el AlN exhibe una compatibilidad térmica y química superior con GaN, así como un voltaje más bajo entre el sustrato y la capa epitaxial. Por lo tanto, un cristal de AlN como sustrato epitaxial de GaN puede reducir significativamente la densidad de defectos del dispositivo, mejorar el rendimiento del dispositivo y tiene aplicaciones prometedoras en dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia.
Además, el sustrato de material epitaxial de AlGaN con cristal de AlN como componente con alto contenido de Al puede reducir eficazmente la densidad de defectos de la capa epitaxial de nitruro y mejorar significativamente el rendimiento y la vida útil de los dispositivos semiconductores de nitruro.
Largo y ancho: 25,4 mm; 50,8 milímetros; 63,5 milímetros; 76,2 milímetros; 101,6 milímetros; 114,3 milímetros; 127 milímetros; 152,4 milímetros.
Espesor: 0,25 mm; 0,5 milímetros; 0,63 milímetros; 1mm; 1,5 milímetros; 2 milímetros.
Persona de Contacto: Daniel
Teléfono: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196