Datos del producto:
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Uso: | película fina y película gruesa microelectrónica, poder más elevado y circuito de alta frecuencia RF | Diámetro: | /Ø 4"/Ø/Ø Ø 1" 2" 3" |
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Grueso: | 0,4 milímetros/0,5 milímetros/1 milímetro | Grado: | Grado de la SIERRA y grado óptico |
Resaltar: | Substrato de cerámica de las piezas de cerámica técnicas,3" substrato de cerámica de AlN,4" substrato de cerámica de AlN |
Substratos de cerámica AIN
Proporcionamos el substrato de cerámica de AlN. El substrato de AlN es uno del substrato de cerámica más popular que tiene resistencia térmica excelente, alta fuerza mechnical, resistencia de abrasión y pequeña pérdida dieléctrica. La superficie del substrato de AlN es porosidad muy lisa y baja. El nitruro de aluminio tiene conductividad termal más alta, comparada al substrato del alúmina, él es cerca de 7 a 8 veces altas. El substrato de AlN es un material electrónico excelente del paquete. Proporcionamos el substrato de AlN para una amplia gama de usos, incluyendo la película fina y la película gruesa microelectrónica, el poder más elevado y el circuito de alta frecuencia RF/los componentes de la microonda y el condensador o el resistor, nos entran en contacto con para una información de producto más de cerámica de la oblea.
Fórmula química | AlN |
Color | Gris |
Densidad | 3,3 g/cm 3 |
Conductividad termal | 160 ~ 190 W/m. K |
Extensión termal (x10 -6/℃) | 4,6 |
Fuerza dieléctrica | 14E6 |
Constante dieléctrica (en 1MHZ) | 8,7 |
Tangente de la pérdida (x10 -4 @1MHZ) | 5 |
Resistencia de volumen | >1E14 ohmio-cm |
Diámetro | /Ø 4"/Ø/Ø Ø 1" 2" 3" |
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Tamaño cuadrado | 10 x 10/20 x 20/50 x 50/100 x 100 milímetros |
Grueso | 0,4 milímetros/0,5 milímetros/1 milímetro |
Superficie | Según lo encendido |
un lado pulido/dos lados pulidos | |
Aspereza | Ra <> |
Persona de Contacto: Daniel
Teléfono: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196