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oblea de CdSe CdTe ZnS ZnSe de los Cdes de la oblea de 350um ZnO y oblea de ZnTe

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Ampliación de imagen :  oblea de CdSe CdTe ZnS ZnSe de los Cdes de la oblea de 350um ZnO y oblea de ZnTe

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: ZG
Certificación: CE
Número de modelo: Ms
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1 pedazo
Precio: USD10/piece
Detalles de empaquetado: Caja de madera fuerte para el envío global
Tiempo de entrega: 3 días laborables
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 10000 pedazos por mes

oblea de CdSe CdTe ZnS ZnSe de los Cdes de la oblea de 350um ZnO y oblea de ZnTe

descripción
Uso: dispositivo de poder, LED, sensor y detector Diámetro: /Ø 6"/Ø/Ø/Ø Ø 1" 2" 3" 4"
Grueso: 330 um ~ 350 um Grado: Grado de la producción/grado de la investigación
Resaltar:

oblea de 350um ZnO

,

Oblea de CdSe ZnO de los Cdes

,

oblea de 350um ZnTe

 

Oblea de la oblea, de los Cdes de ZnO, oblea de CdSe, oblea de CdTe, oblea de ZnS, oblea de ZnSe y oblea de ZnTe

 

Proporcionamos la sola oblea cristalina de ZnO de la pureza elevada y el bulto de ZnO para el dispositivo de poder, los usos del LED, del sensor y del detector. Con una estructura cristalina ideal, la oblea de ZnO (óxido de cinc) tiene una unión mal hecha del enrejado del 2% a GaN, de que es mucho menos que la unión mal hecha del enrejado de la oblea del zafiro y sic de la oblea. La oblea de ZnO es una del substrato más conveniente para usar como el crecimiento epitaxial de GaN y uso amplio del semiconductor del hueco de banda. La oblea de ZnO se suministra en la forma cuadrada, sin impurificar, talla 10 x 10 x 0,5 milímetros, los lados dobles pulieron el final superficial y orientado, nuestra oblea de alta calidad de ZnO ha sido ampliamente utilizada para el crecimiento de

dispositivos de la base del nitruro. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.

 

Uso de la oblea de ZnO

 

Crecimiento epitaxial de GaN Detectores ULTRAVIOLETA
Dispositivos de poder Dispositivos luminescentes
Fotovoltaico Sensores

 

Propiedades de la oblea de ZnO

 
Fórmula química ZnO
Estructura cristalina Hexagonal
Enreje constante 3,3 A
Unión mal hecha del enrejado con GaN en <0001> el avión 9
Conductividad termal 0,006 calorías/cm /K
Índice de refracción 2.0681 / 2,0510
Cara pulida identificada Zn - cara/O - cara

Especificación de producto

 
Crecimiento Hidrotérmico
Bulto/bloque de ZnO 26,5 x 26,5 x 10 milímetros
Oblea de ZnO 10 x 10 x 0,5 milímetros
Orientación Cara de la cara <0001> /O del Zn <000-1>
Resistencia 500 - 1000 ohmio-cm
Superficie dos lados pulidos
Aspereza Ra <>
Paquete Caja de Membrance

 

Contacto
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Persona de Contacto: Daniel

Teléfono: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

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