El diámetro 3 pulgadas INP de cerámica técnico de 4 piezas de la pulgada basó la oblea de Epi

El INP basó la oblea de Epi

Proporcionamos crecimiento epitaxial del MBE/del MOCVD de la estructura de encargo en el substrato del INP para la microelectrónica, optoelectrónica y usos de la microonda del RF, en el diámetro Ø 2" a Ø 4". Con nuestra experiencia extensa del MOCVD, podemos crecer la aleación binaria (INP) o la aleación ternaria (InGaAs, InAlAs, InGaAsP) en el substrato del INP, las estructuras del superretículo de la capa del singel o de la múltiple-capa con calidad cristalina superior para cubrir una variedad de necesidades del dispositivo. Nuestros expertos altamente expertos pueden trabajar con usted para diseñar y para optimizar su estructura de capa del epi del INP. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto o discuta su estructura de capa del epi.

El INP basó capacidad de la oblea de Epi

Nuestros reactores se configuran para una variedad de sistemas materiales y de condiciones de proceso. Podemos proporcionar la epitaxia de encargo para una variedad de aplicaciones para dispositivos que se extienden del LED a los HEMTs.