500Um a 625Um GaAs basó el grado mecánico pulido oblea del grado de Epi

El GaAs basó la oblea de Epi

Proporcionamos crecimiento epitaxial del MBE/del MOCVD de la estructura de encargo en el substrato del GaAs para la microelectrónica, optoelectrónica y usos de la microonda del RF, en el diámetro Ø 3" a Ø 4". Con nuestra experiencia extensa del MOCVD, podemos crecer la aleación binaria (LT-GaAs, AlAs) o la aleación ternaria (AlGaAs, InGaAs, GaAsP, InGaP) en el substrato del GaAs, las estructuras del superretículo de la capa del singel o de la múltiple-capa con calidad cristalina superior para cubrir una variedad de necesidades del dispositivo. Nuestros expertos altamente expertos pueden trabajar con usted para diseñar y para optimizar su estructura de capa del epi del GaAs. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto o discuta su estructura de capa del epi.

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Nuestros reactores se configuran para una variedad de sistemas materiales y de condiciones de proceso. Podemos proporcionar la epitaxia de encargo para una variedad de aplicaciones para dispositivos que se extienden del LED a los HEMTs.