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Datos del producto:
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Uso: | LED rojos, amarillos, y verdes (diodos electroluminosos) | Diámetro: | /Ø 3" Ø 2" |
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Grueso: | 500 um ~ 625 um | Grado: | Epi pulió el grado/el grado mecánico |
Resaltar: | Oblea de cerámica técnica del INP de las piezas,Oblea mecánica del INP del grado,Fosfuro de indio de la oblea del INP |
Oblea del INP (fosfuro de indio)
Proporcionamos la sola oblea cristalina de alta calidad del INP (fosfuro de indio) a la industria microelectrónica (HEMT de HBT/) y optoelectrónica (LED/DWDM/PIN/VCSELs) en diámetro hasta 3 pulgadas. El cristal del fosfuro de indio (INP) es formado por dos elementos, indios y fosfuros, crecimiento por el método encapsulado líquido de Czochralski (LEC) o el método de VGF. La oblea del INP es un material importante del semiconductor que tengan propiedades eléctricas y termales superiores, comparado a la oblea de silicio y la oblea del GaAs, oblea del INP tiene una movilidad de electrón más alta, una frecuencia más alta, el bajo consumo de energía, una conductividad termal más alta y funcionamiento de poco ruido. Podemos proporcionar la oblea lista del INP del grado del epi para su uso epitaxial del MOCVD y del MBE. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.
Oblea compuesta de III-V
Proporcionamos una amplia gama de oblea compuesta incluyendo la oblea del GaAs, la oblea de Gap, la oblea de GaSb, la oblea de InAs, y la oblea del INP.
Eléctrico y dopando la especificación
Especificación de producto
Crecimiento | LEC/VGF |
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Diámetro | /Ø 4"/Ø Ø 2" 3" |
Grueso | 350 um ~ 625 um |
Orientación | <100> / <111> / <110> u otros |
De la orientación | De 2° a 10° |
Superficie | Un lado pulió o dos lados pulidos |
Opciones planas | EJ o SEMI. Estándar. |
TTV | <> |
Arco/deformación | <> |
Grado | Epi pulió el grado/el grado mecánico |
Paquete | Solo envase de la oblea |
Persona de Contacto: Daniel
Teléfono: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196