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2 pulgadas InAs Wafer Indium Arsenide una/dos lados pulidos

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2 pulgadas InAs Wafer Indium Arsenide una/dos lados pulidos

2 pulgadas InAs Wafer Indium Arsenide una/dos lados pulidos
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Ampliación de imagen :  2 pulgadas InAs Wafer Indium Arsenide una/dos lados pulidos

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: ZG
Certificación: CE
Número de modelo: Ms
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1 pedazo
Precio: USD10/piece
Detalles de empaquetado: Caja de madera fuerte para el envío global
Tiempo de entrega: 3 días laborables
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 10000 pedazos por mes
Contacto

2 pulgadas InAs Wafer Indium Arsenide una/dos lados pulidos

descripción
Uso: LED rojos, amarillos, y verdes (diodos electroluminosos) Diámetro: /Ø 3" Ø 2"
Grueso: 500 um ~ 625 um Grado: Epi pulió el grado/el grado mecánico
Resaltar:

InAs Wafer Indium Arsenide

,

2 pulgadas InAs Wafer

,

Arseniuro del indio de 2 pulgadas

 

Oblea de InAs (arseniuro del indio)

 

Proporcionamos la oblea de InAs (arseniuro del indio) a la industria de la optoelectrónica en diámetro hasta 2 pulgadas. El cristal de InAs es un compuesto formado por 6N puro en y como elemento y es crecido por el método encapsulado líquido de Czochralski (LEC) con EPD < 15000="" cm="" -3="">

 

Oblea compuesta de III-V

Proporcionamos una amplia gama de oblea compuesta incluyendo la oblea del GaAs, la oblea de Gap, la oblea de GaSb, la oblea de InAs, y la oblea del INP.

 

Eléctrico y dopando la especificación

 
Dopante disponible S / Zn/sin impurificar
Tipo de conductividad N / P
Concentración 1E17 - 5E18 cm-3
Movilidad 100 ~ 25000 cm2s/v.s.

Especificación de producto

 

Crecimiento LEC
Diámetro /Ø 3" Ø 2"
Grueso 500 um ~ 625 um
Orientación <100> / <111> / <110> u otros
De la orientación De 2° a 10°
Superficie Un lado pulió o dos lados pulidos
Opciones planas EJ o SEMI. Estándar.
TTV <>
EPD <>
Grado Epi pulió el grado/el grado mecánico
Paquete Solo envase de la oblea
 

2 pulgadas InAs Wafer Indium Arsenide una/dos lados pulidos 0

etiqueta:

Crisol de cerámica del alúmina SiO2,

Crisol de cerámica de fusión de cristal del alúmina,

Cerámica Al2O3 de la pureza elevada el 99%

Contacto
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Persona de Contacto: Daniel

Teléfono: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

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