Datos del producto:
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Uso: | Dispositivo de semiconductor, microelectrónica, sensor, célula solar, la óptica del IR. | Diámetro: | /Ø 4"/Ø Ø 2" 3" |
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Grueso: | 500 um ~ 625 um | Grado: | Grado de la electrónica |
Resaltar: | Oblea de GE de 4 pulgadas,Oblea de GE de 2 pulgadas,oblea del germanio de 2 pulgadas |
Oblea de GE a la industria de la microelectrónica y de la optoelectrónica en gama del diámetro a partir de 2 pulgadas a 4 pulgadas
Somos un proveedor mundial de la sola oblea cristalina de GE (oblea del germanio) y solo lingote cristalino de GE, tenemos una ventaja fuerte en el abastecimiento de la oblea de GE a la industria de la microelectrónica y de la optoelectrónica en gama del diámetro a partir de 2 pulgadas a 4 pulgadas. La oblea de GE es una elemental y el material popular del semiconductor, debido a sus propiedades cristalográficas excelentes y a las propiedades eléctricas únicas, oblea de GE widly se utiliza en sensor, célula solar y los usos infrarrojos de la óptica. Podemos proporcionar las obleas listas bajas de GE de la dislocación y del epi para cubrir sus necesidades únicas del germanio. La oblea de GE se produce según SEMI. estándar y embalado en casete estándar con el vacío sellado en el ambiente del sitio limpio, con un sistema del buen control de calidad, nos dedican a proporcionar productos limpios y de alta calidad de la oblea de GE. Podemos ofrecer el grado de la electrónica y la oblea de GE del grado del IR, nos entra en contacto con por favor para más información de producto de GE
Solo Crystal Germanium Wafer Capability
SWI puede ofrecer el grado de la electrónica y la oblea de GE del grado del IR y el lingote de GE, nos entran en contacto con por favor para más información de producto de GE.
Conductividad | Dopante | Resistencia (ohmio-cm) |
Tamaño de la oblea |
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NA | Sin impurificar | >= 30 | Hasta 4 pulgadas |
Tipo de N | Sb | 0,001 ~ 30 | Hasta 4 pulgadas |
Tipo de P | GA | 0,001 ~ 30 | Hasta 4 pulgadas |
Usos:
Dispositivo de semiconductor, microelectrónica, sensor, célula solar, la óptica del IR.
Propiedades de la oblea de GE
Fórmula química | GE |
Estructura cristalina | Cúbico |
Parámetro del enrejado | a=0.565754 |
Densidad (g/cm3) | 5,323 |
Conductividad termal | 59,9 |
Punto de fusión (°C) | 937,4 |
Especificación de producto
Crecimiento | Czochralski |
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Diámetro | /Ø 4"/Ø Ø 2" 3" |
Grueso | 500 um ~ 625 um |
Orientación | <100> / <111> / <110> u otros |
Conductividad | P - tipo/N - tipo |
Dopante | Galio/antimonio/sin impurificar |
Resistencia | 0,001 ~ 30 ohmio-cm |
Superficie | SSP/DSP |
TTV | <> |
Arco/deformación | <> |
Grado | Grado de la electrónica |
Persona de Contacto: Daniel
Teléfono: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196