2um - silicio de cerámica técnico de las piezas 300um en el aislador SOI Wafer

SOI Wafer (Silicio-en-aislador)

Proporcionamos la oblea de alta calidad de SOI (Silicio-en-aislador) para una variedad de uso incluyendo MEMS, el dispositivo de poder, los sensores de la presión y fabricación del circuito integrado del Cmos. La oblea de SOI proporciona una solución potencial para el dispositivo de la velocidad y del bajo consumo de energía y se ha reconocido extensamente como nueva solución para el alto voltaje y los componentes del RF. La oblea de SOI es una estructura del bocadillo incluyendo una capa del dispositivo (capa activa) en el top, una capa enterrada del óxido (capa aislador SiO2) en el centro, y una oblea de la manija (silicio a granel) en la parte inferior. Las obleas de SOI se producen usando SIMOX y tecnología de enlace de la oblea para alcanzar el deluente y la capa exacta del dispositivo y para asegurar el requisito de la uniformidad del grueso y de la densidad baja del defecto. Podemos proveer de la oblea de SOI en el diámetro 4" y 8" grueso flexible y gama ancha de la resistencia para cumplir sus requisitos únicos de SOI. Éntrenos en contacto con para informaciones de producto más futuras de SOI.

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