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Datos del producto:
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Material: | Nitruro de silicio Si3n4 | tamaño: | Modificado para requisitos particulares |
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Color: | Negro | Características: | alta dureza; alta resistencia a la corrosión; baja densidad; estabilidad en una amplia gama de tempe |
Resaltar: | Cerámica negra del nitruro de silicio del CE,Cuchara de colada del nitruro de silicio Si3N4,Cuchara de colada negra Si3N4 del CE |
Los materiales de cerámica de alto rendimiento del nitruro de silicio desarrollados para la industria de aluminio han mejorado perceptiblemente propiedades termales y mecánicas que productos similares. Sobre esta base, el “alto “dispositivo de calefacción sumergido en forma de L” de la conductividad termal traerá progreso revolucionario al equipo industrial de aluminio.
La cuchara y el crisol de colada mampostear-formados nacionalmente promovidos del nitruro de silicio maximiza la resistencia de choque termal y las propiedades de aluminio antiadherentes de los materiales del nitruro de silicio, y debe ser la última solución para las cucharas de colada y los crisoles de la industria de aluminio.
Ventaja:
Comparado con el otro crisol material, la vida de servicio se amplía grandemente.
El nitruro de silicio relacionó datos
Componente principal | 99%Al2O3 | S-SIC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Físico Propiedad |
Densidad | g/cm3 | 3,9 | 3,1 | 6 | 3,2 |
Absorción de agua | % | 0 | 0,1 | 0 | 0,1 | |
Temperatura del sínter | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Mecánico Propiedad |
Dureza de Rockwell | Alto voltaje | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Fuerza de la curva | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Intensidad de la compresión | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Termal Propiedad |
Funcionamiento máximo temperatura |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
extensión termal coeficiente 0-1000°C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6 (0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6 (0-500°C) | |
5.2*10-6 (500-1000°C) | 4.0*10-6 (500-1000°C) | |||||
Resistencia de choque termal | T (°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Conductividad termal | W/m.k (25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Eléctrico Propiedad |
Índice de resistencia de volumen | ◎los .cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
Avería del aislamiento Intensidad |
KV/mm | 18 | semiconductor | 9 | 17,7 | |
Constante dieléctrica (1 megaciclo) | (e) | 10 | – | 29 | 7 | |
Disipación dieléctrica | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – |
Persona de Contacto: Daniel
Teléfono: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196