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Dispositivo optoelectrónico Wafer SiC para diodos emisores de luz

Dispositivo optoelectrónico Wafer SiC para diodos emisores de luz
Dispositivo optoelectrónico Wafer SiC para diodos emisores de luz

Ampliación de imagen :  Dispositivo optoelectrónico Wafer SiC para diodos emisores de luz

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: ZG
Certificación: CE
Número de modelo: Ms
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1 pedazo
Precio: USD10/piece
Detalles de empaquetado: Caja de madera fuerte para el envío global
Tiempo de entrega: 3 días laborables
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 10000 pedazos por mes
Contacto

Dispositivo optoelectrónico Wafer SiC para diodos emisores de luz

descripción
Uso: Dispositivo de poder más elevado Dispositivo optoelectrónico de la epitaxia de GaN del dispositivo D Diámetro: /Ø 6"/Ø/Ø/Ø Ø 1" 2" 3" 4"
Grueso: 330 um ~ 350 um Grado: Grado de la producción/grado de la investigación
Resaltar:

Dispositivo optoelectrónico Wafer SiC

,

Wafer de SiC para diodos emisores de luz

 

 

Oblea de SIC

 

La oblea de semiconductor, inc. (SWI) proporciona la oblea de alta calidad del solo cristal sic (carburo de silicio) a la industria electrónica y optoelectrónica. Sic la oblea es un material del semiconductor de la siguiente generación, con las propiedades eléctricas únicas y las propiedades termales excelentes, comparadas a la oblea de silicio y a la oblea del GaAs, sic oblea son más convenientes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en diámetro 2 pulgadas, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.

 

Sic uso de la oblea

 

Dispositivo de alta frecuencia Dispositivo de alta temperatura
Dispositivo de poder más elevado Dispositivo optoelectrónico
Dispositivo de la epitaxia de GaN Diodo electroluminoso

 

Sic propiedades de la oblea

 
Polytype 6H-SiC 4H-SiC
Secuencia de amontonamiento cristalina ABCABC ABCB
Parámetro del enrejado a=3.073A, c=15.117A a=3.076A, c=10.053A
Banda-Gap eV 3,02 eV 3,27
Constante dieléctrica 9,66 9,6
Índice de la refracción n0 =2.707, ne =2.755 ne =2.777 de n0 =2.719

Especificación de producto

 
Polytype 4H / 6H
Diámetro /Ø 4"/Ø Ø 2" 3"
Grueso 330 um ~ 350 um
Orientación En eje <0001> /del eje <0001> de 4°
Conductividad N - tipo/semiaislante
Dopante N2 ()/V (vanadio) del nitrógeno
Resistencia (4H-N) 0,015 ~ 0,03 ohmio-cm
Resistencia (6H-N) 0,02 ~ 0,1 ohmio-cm
Resistencia (SI) > 1E5 ohmio-cm
Superficie El CMP pulió
TTV <>
Arco/deformación <>
Grado Grado de la producción/grado de la investigación

 

etiqueta:

Crisol de cerámica del alúmina SiO2,

Crisol de cerámica de fusión de cristal del alúmina,

Cerámica Al2O3 de la pureza elevada el 99%

Contacto
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Persona de Contacto: Daniel

Teléfono: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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